[发明专利]一种GaN基发光二极管芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201610349392.1 | 申请日： | 2016-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN105938862A | 公开（公告）日： | 2016-09-14 |
| 发明（设计）人： | 卫婷;齐胜利;沈燕;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/52;H01L33/58;H01L33/60 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述GaN基发光二极管芯片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的N型GaN层、发光层、P型GaN层，P型GaN层上设有延伸到N型GaN层的台阶，P型GaN层上依次设有电流阻挡层、透明导电层、P型电极，N型GaN层上设有N型电极，P型GaN层和N型GaN层上设有延伸到衬底的凹槽，凹槽设置在芯片的边缘，凹槽、N型GaN层、透明导电层、以及台阶的侧壁上依次设有光学增透膜和钝化层，GaN、光学增透膜、钝化层、空气的折射率大小依次变化。本发明可以有效缓冲GaN和钝化层之间较大的折射率差距，提高LED芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基发光二极管芯片，所述GaN基发光二极管芯片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的N型GaN层、发光层、P型GaN层，所述P型GaN层上设有从所述P型GaN层延伸到所述N型GaN层的台阶，所述P型GaN层上依次设有电流阻挡层、透明导电层、P型电极，所述N型GaN层上设有N型电极，其特征在于，所述P型GaN层和所述N型GaN层上设有延伸到所述衬底的凹槽，所述凹槽设置在所述芯片的边缘，所述凹槽、所述N型GaN层、所述透明导电层、以及所述台阶的侧壁上依次设有光学增透膜和钝化层，所述钝化层的折射率介于GaN的折射率和空气的折射率之间，所述光学增透膜的折射率介于GaN的折射率和所述钝化层的折射率之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电(苏州）有限公司，未经华灿光电(苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610349392.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
