[发明专利]双面电池的掺杂方法在审
| 申请号： | 201610349479.9 | 申请日： | 2016-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN107425092A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 何川;金光耀;王懿喆;洪俊华;陈炯 | 申请（专利权）人： | 上海凯世通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/228 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所31283 | 代理人： | 薛琦,王聪 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双面电池的掺杂方法，包括对硅衬底双面制绒，该硅衬底具有第一表面以及与该第一表面相对的第二表面；在该硅衬底的第一表面上形成含磷掺杂剂，通过背靠背扩散的方式对该硅衬底的第二表面进行硼扩散，扩散温度为850℃‑1000℃，以使得含磷掺杂剂中的磷进入第一表面侧的硅衬底中以在第一表面侧的硅衬底中形成磷掺杂层，第二表面侧的硅衬底中形成硼掺杂层，其中该磷掺杂层的掺杂剂量至少为2.5e15/cm2；对硅衬底进行等离子体边缘刻蚀。通过本发明所限定的特定条件的工艺，只需要一步高温工艺，简化了双面电池生产步骤，并且可以保留硅衬底两个表面的绒面，由此制得的双面电池的背面效率与正面效率非常接近。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 电池 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
一种双面电池的掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：对硅衬底双面制绒，该硅衬底具有第一表面以及与该第一表面相对的第二表面；S2：在该硅衬底的第一表面上形成含磷掺杂剂，通过背靠背扩散的方式对该硅衬底的第二表面进行硼扩散，扩散温度为850℃‑1000℃，以使得含磷掺杂剂中的磷进入第一表面侧的硅衬底中以在第一表面侧的硅衬底中形成磷掺杂层，第二表面侧的硅衬底中形成硼掺杂层，其中该磷掺杂层的掺杂剂量至少为2.5e15/cm2；S3：对硅衬底进行等离子体边缘刻蚀。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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