[发明专利]在介质基片的同一平面上集成TaN材料两种方阻互连薄膜电阻的方法有效
| 申请号： | 201610349523.6 | 申请日： | 2016-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN106057785B | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 曹乾涛;龙江华;孙佳文 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266555 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种在介质基片的同一平面上集成TaN材料两种方阻互连薄膜电阻的方法，包括以下步骤：在介质基片同一平面上溅射大方阻TaN薄膜，然后依次溅射第一粘附层薄膜、第一导体薄膜；将大方阻电阻图形和大方阻电阻端电极图形看作同一信息层图形进行主图形光刻蚀制作；将小方阻电阻图形位置处光刻蚀形成大方阻TaN薄膜；在所述介质基片形成主图形的表面上溅射小方阻TaN薄膜，然后依次溅射第二粘附层薄膜、第二导体薄膜；光刻蚀制作小方阻电阻端电极图形；光刻蚀制作由大方阻与小方阻构成的并联小方阻TaN薄膜电阻图形；光刻蚀制作大方阻TaN薄膜电阻图形和大方阻电阻端电极图形。本发明使用TaN同一种薄膜电阻材料，实现大小两种方阻互连薄膜电阻的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 同一 平面 集成 tan 材料 两种方阻 互连 薄膜 电阻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在介质基片的同一平面上集成TaN材料两种方阻互连薄膜电阻的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤(101)：在介质基片同一平面上溅射大方阻TaN薄膜，然后依次溅射第一粘附层薄膜、第一导体薄膜；步骤(102)：将大方阻电阻图形和大方阻电阻端电极图形看作同一信息层图形进行主图形光刻蚀制作；步骤(103)：将小方阻电阻图形位置处光刻蚀形成大方阻TaN薄膜；步骤(104)：在所述介质基片形成主图形的表面上溅射小方阻TaN薄膜，然后依次溅射第二粘附层薄膜、第二导体薄膜；步骤(105)：光刻蚀制作小方阻电阻端电极图形；步骤(106)：光刻蚀制作由大方阻与小方阻构成的并联小方阻TaN薄膜电阻图形；步骤(107)：光刻蚀制作大方阻TaN薄膜电阻图形和大方阻电阻端电极图形。
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