[发明专利]纵型场效应晶体管以及电力转换装置

摘要

本发明涉及半导体装置以及电力转换装置。在半导体装置中抑制耐压的降低并且减少通态电阻。半导体装置具备基板、第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、沟槽以及覆盖沟槽的表面的绝缘膜，第一半导体层的载流子浓度在与面方向正交的厚度方向上形成峰值，上述第一半导体层中载流子浓度成为峰值的高浓度载流子区域在从沟槽远离基板侧的位置上向上述面方向扩张。

主权项

1.一种纵型场效应晶体管，其特征在于，具备：基板，向面方向扩张；第一半导体层，位于比上述基板靠上，并具有n型以及p型中一方的特性且具有与所述基板相同的特性；第二半导体层，位于上述第一半导体层上，并具有n型以及p型中与上述一方的特性不同的另一方的特性；第三半导体层，位于上述第二半导体层上，并具有上述一方的特性；沟槽，从上述第三半导体层贯通上述第二半导体层并凹陷到上述第一半导体层；以及绝缘膜，覆盖上述沟槽的表面，在所述沟槽中隔着所述绝缘膜形成有栅电极，在所述基板的背面连接有漏电极，上述第一半导体层的载流子浓度在与上述面方向正交的厚度方向形成峰值，上述第一半导体层中载流子浓度成为峰值的高浓度载流子区域在从上述沟槽远离上述基板侧的位置上向上述面方向扩张，上述第一半导体层还包括：第一区域，与上述高浓度载流子区域相比位于基板侧；和第二区域，与上述高浓度载流子区域相比位于第二半导体层侧，上述第二区域位于上述沟槽与上述高浓度载流子区域之间，上述沟槽与上述高浓度载流子区域不接触。