[发明专利]氮化镓基发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201610350604.8 | 申请日： | 2016-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN105826440B | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 张东炎;刘文;叶大千;刘晓峰;高文浩;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高光效氮化镓基发光二极管及其制备方法，属于光电器件制备领域，该LED在大电流注入下能维持较高的光电转换效率，降低Droop效应。其具体结构包含MOCVD技术生长的底层、发光层及分子束外延技术生长的p型层两部分，即：MOCVD技术生长镓极性缓冲层、非掺氮化物层、N型氮化物层、多量子阱发光层；然后将样品转移至分子束外延设备反应室，生长氮极性电子阻挡层、P型氮化物层及P型氮化物接触层。该方法能够降低电子阻挡层与多量子阱发光层之间由于极化造成的能带弯曲，不仅能增加电子过冲到P型层的势垒高度，而且能降低空穴注入到多量子阱区的势垒。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.氮化镓基发光二极管，依次包括：N型氮化物层、发光层、电子阻挡层、P型氮化物层和P型氮化物接触层，其特征在于：发光层为镓极性氮化物层，电子阻挡层为氮极性氮化物层，所述电子阻挡层与发光层之间的极化反转降低极化造成的能带弯曲，所述N型氮化物层、发光层采用MOCVD外延技术形成，所述电子阻挡层、P型氮化物层和P型氮化物接触层采用分子束外延技术形成。
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