[发明专利]导体柱及其制造方法、封装芯片的方法和芯片倒装产品有效

专利信息
申请号: 201610351250.9 申请日: 2016-05-25
公开(公告)号: CN105870093B 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 张志强;杨志刚;王志建 申请(专利权)人: 武汉光谷创元电子有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/60;H01L21/265
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 刘林华;周心志
地址: 湖北省武汉市东湖开*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及导体柱及其制造方法、封装芯片的方法和芯片倒装产品。一种制造导体柱的方法,包括以下步骤:使用靶材,对芯片电极的表面、或形成于芯片中的孔的孔壁、或者封装基板的线路表面进行离子注入和/或等离子体沉积处理,以形成导电籽晶层(步骤S1);以及,在导电籽晶层的上方形成柱状的导体加厚层,该导体加厚层和导电籽晶层组成导体柱(步骤S2)。
搜索关键词: 导体 及其 制造 方法 封装 芯片 倒装 产品
【主权项】:
一种制造导体柱的方法,包括以下步骤:S1:使用靶材,对芯片电极的表面、或形成于芯片中的孔的孔壁、或者封装基板的线路表面进行离子注入和/或等离子体沉积处理,以形成导电籽晶层;以及S2:在所述导电籽晶层的上方形成柱状的导体加厚层,所述导体加厚层和所述导电籽晶层组成所述导体柱。
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