[发明专利]一种高含量聚偏氟乙烯压电β相的制备方法

摘要

本发明公开了一种高含量聚偏氟乙烯压电β相的制备方法，步骤是，先制备聚偏氟乙烯溶液，然后制备聚偏氟乙烯薄膜，再熔融聚偏氟乙烯薄膜，最后剪切聚偏氟乙烯薄膜。本发明通过刀片剪切聚偏氟乙烯熔体膜的手段实现聚偏氟乙烯压电β相含量的显著增加，并使无极性的α相得到显著抑制，进而大大提高了其压电性能，解决了聚偏氟乙烯较难得到高含量压电β相的难题。本发明的制备方法简单、容易实现、节约成本，对聚偏氟乙烯在电子电器、医学、力学测量等方面的应用具有积极的推动作用，进一步扩大了聚偏氟乙烯的应用前景。

主权项

1.一种高含量聚偏氟乙烯压电β相的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)制备聚偏氟乙烯溶液：将粒径为3～7mm的聚偏氟乙烯颗粒与有机溶剂按质量比为1:(10～20)混合，置于磁力搅拌器上,调控温度为40～80℃，搅拌时间5～12h，搅拌速度为150～300r/min，得到聚偏氟乙烯溶液；(2)制备聚偏氟乙烯薄膜：将步骤(1)制得的聚偏氟乙烯溶液均匀滴在衬底上，接着将所述衬底置于温度为70～120℃真空烘箱内干燥，干燥时间为2～6h，使有机溶剂彻底挥发，即得到厚度为1～10um的聚偏氟乙烯薄膜；其中所述衬底为耐高温，平整的玻璃片、硅片或云母片；(3)熔融聚偏氟乙烯薄膜：将聚偏氟乙烯薄膜置于190～230℃熔融温度下维持3～10min，彻底消除热力学史后得到聚偏氟乙烯熔体膜；(4)剪切聚偏氟乙烯薄膜：将温度降至152～160℃，利用刀片对聚偏氟乙烯薄膜横向剪切，剪切的速率为2～10mm/s，然后将剪切膜置于上述剪切温度下等温热处理5～12h。