[发明专利]半导体芯片的封装方法以及封装结构有效

专利信息
申请号: 201610351803.0 申请日: 2016-05-25
公开(公告)号: CN106057763B 公开(公告)日: 2019-11-15
发明(设计)人: 王之奇;谢国梁;胡汉青;王文斌 申请(专利权)人: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
主分类号: H01L23/492 分类号: H01L23/492;H01L23/31;H01L23/528
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215026江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种半导体芯片的封装方法以及封装结构,所述封装方法包括:提供晶圆,所述晶圆具有位于第一表面侧的功能区以及焊垫;于所述晶圆的第二表面形成通孔,所述通孔底部暴露所述焊垫;于所述通孔的底部以及侧壁形成金属布线层,所述金属布线层延伸至所述晶圆的第二表面,所述金属布线层与所述焊垫电连接;于所述晶圆的第二表面以及所述通孔中形成阻焊层;于所述阻焊层对应通孔的位置形成凹槽,所述凹槽的深度与所述通孔的深度之间的差值为0‑20微米,通过减少阻焊层在通孔中的填充量,有效降低了阻焊层在后续的信赖性测试中产生的作用于金属布线层的应力,避免了金属布线层与焊垫分层脱离的情况。
搜索关键词: 半导体 芯片 封装 方法 以及 结构
【主权项】:
1.一种半导体芯片的封装方法,包括:/n提供晶圆,所述晶圆具有彼此相对的第一表面以及第二表面,所述晶圆具有多颗网格排布的半导体芯片,半导体芯片具有位于所述第一表面侧的功能区以及焊垫;/n于所述晶圆的第二表面形成朝向所述第一表面延伸的通孔,所述通孔底部暴露所述焊垫;/n于所述通孔的底部以及侧壁形成金属布线层,所述金属布线层延伸至所述晶圆的第二表面,所述金属布线层与所述焊垫电连接;/n于所述晶圆的第二表面以及所述通孔中形成阻焊层,所述阻焊层覆盖所述金属布线层;/n在所述阻焊层上对应所述晶圆的第二表面的位置设置开口,所述开口底部暴露所述金属布线层;/n于所述开口中形成焊接凸起,所述焊接凸起与所述金属布线层电连接;/n其特征在于,/n于所述阻焊层对应通孔的位置形成凹槽,所述凹槽的深度与所述通孔的深度之间的差值为0-20微米,/n采用旋涂工艺于所述晶圆的第二表面以及所述通孔中形成阻焊层;采用刻蚀工艺或者激光打孔工艺在所述阻焊层上对应通孔的位置形成所述凹槽。/n
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