[发明专利]Pt-SnO2氧化物半导体一氧化碳传感器制备与应用在审

专利信息
申请号: 201610352166.9 申请日: 2016-05-25
公开(公告)号: CN105806899A 公开(公告)日: 2016-07-27
发明(设计)人: 王庆吉;林君;李旭 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12
代理公司: 长春市四环专利事务所(普通合伙) 22103 代理人: 郭耀辉
地址: 130012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 一种Pt‑SnO2氧化物半导体一氧化碳传感器制备方法及其在检测矿井和大气环境中一氧化碳浓度方面的应用,属于气体传感器技术领域。传感器由市售的外表面自带有2个环形金电极的Al2O3绝缘陶瓷管、涂覆在环形金电极和Al2O3绝缘陶瓷管外表面的Pt‑SnO2氧化物半导体敏感材料、穿过Al2O3绝缘陶瓷管内部的镍镉合金加热线圈组成。该传感器对较低浓度(检测下限10ppm)的一氧化碳具有较好的线性度,这些特点使Pt‑SnO2氧化物半导体型一氧化碳传感器能够很好的应用于大气环境和矿井中一氧化碳的检测,进一步可以通过检测一氧化碳浓度判断矿井安全与环境安全。
搜索关键词: pt sno sub 氧化物 半导体 一氧化碳 传感器 制备 应用
【主权项】:
一种Pt‑SnO2氧化物半导体一氧化碳传感器,由外表面带有2个环形金电极(5)的Al2O3绝缘陶瓷管(1)、涂覆在环形金电极(5)和Al2O3绝缘陶瓷管(1)外表面的半导体敏感材料(2)、穿过Al2O3绝缘陶瓷管(1)内部的镍镉合金加热线圈(3)和用于导电的铂线(4)组成;其特征在于:半导体敏感材料(2)为Pt‑SnO2氧化物半导体,该敏感材料是采用微波水热技术制备,经煅烧,涂覆在环形金电极(5)和Al2O3绝缘陶瓷管(1)外表面。
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