[发明专利]加热的喷头组件有效
申请号: | 201610352823.X | 申请日: | 2009-01-07 |
公开(公告)号: | CN106024618B | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
发明(设计)人: | 詹姆斯·D·卡达希;欧加·莱格拉曼;卡洛·贝拉;道格拉斯·A·布池贝尔格尔;保罗·比瑞哈特 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01J37/32 |
代理公司: | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;赵静<国际申请>=<国际公布>= |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明一般而言包含加热的喷头组件,其可用来供应处理气体至处理腔室。该处理腔室可以是蚀刻腔室。当该处理气体从该处理腔室排出时,均匀处理该衬底会有难度。将该处理气体抽离该衬底并朝向该真空泵推送时,衬底上的等离子体,在蚀刻的情况下可能会不均匀。不均匀的等离子体可造成不均匀蚀刻。为了避免不均匀蚀刻,可将该喷头组件分为两个区域,每一个区域均具有可独立控制的气体导入及温度控制。该第一区域对应该衬底的边缘,而该第二区域对应该衬底的中心。通过独立控制温度及通过该喷头区域的气流,可增加该衬底的蚀刻均匀性。 | ||
搜索关键词: | 加热 喷头 组件 | ||
【主权项】:
1.一种喷头翻新方法,其包含:/n将第一喷头主体从第二喷头主体拆下,所述第一喷头主体具有环绕第二区域的第一区域,其中,所述第一区域具有:/n第一气室,设置在所述主体的第一侧;/n第一加热元件,所述第一加热元件包括第一多个加热线圈;/n一或多个第二气室,设置在所述主体的第二侧;以及/n多个第一孔,配置在多个第一环状图案中,所述多个第一孔从所述第一气室延伸至所述一或多个第二气室;/n多个孔口,在所述第一气室与所述第一孔之间,其中所述第一气室的直径大于所述第一孔的直径,并且所述第一孔的直径大于所述孔口的直径;并且/n所述第二区域具有:/n第三气室,设置在所述主体的第一侧;/n第二加热元件,所述第二加热元件包括第二多个加热线圈;/n一或多个第四气室,设置在所述主体的第二侧;以及/n多个第二孔,配置在多个第二环状图案中,所述多个第二孔从所述第三气室延伸至所述一或多个第四气室;/n清洁至少所述第一喷头主体;并且/n接合所述第一喷头主体至第三喷头主体。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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