[发明专利]发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201610352990.4 | 申请日: | 2016-05-25 |
公开(公告)号: | CN106298845B | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 金槿卓 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;王艳春 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种发光显示装置和制造发光显示装置的方法。发光显示装置包括第一电极、具有暴露第一电极的开口的像素限定层、位于第一电极上的空穴注入层、在空穴注入层上位于开口中的亲液图案、位于亲液图案上的空穴传输层、位于空穴传输层上的发光层以及位于发光层上的第二电极。亲液图案包括与开口的第一侧壁相邻的第一部分和与开口的第二侧壁相邻的第二部分。从空穴注入层的顶表面至第二部分的顶表面的边缘的距离对应于第一高度。从空穴注入层的顶表面至第一部分的顶表面的距离对应于第二高度。第一高度小于第二高度。 | ||
搜索关键词: | 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种发光显示装置,包括:第一电极;像素限定层,具有暴露所述第一电极的开口;空穴注入层,位于所述第一电极上;亲液图案,在所述开口中位于所述空穴注入层上,所述亲液图案包括与所述开口的第一侧壁相邻的第一部分和与所述开口的第二侧壁相邻的第二部分;空穴传输层,位于所述亲液图案上;发光层,位于所述空穴传输层上;以及第二电极,位于所述发光层上,其中从所述空穴注入层的顶表面至所述第二部分的顶表面的边缘的距离对应于第一高度,从所述空穴注入层的所述顶表面至所述第一部分的顶表面的距离对应于第二高度,以及其中所述第一高度小于所述第二高度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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