[发明专利]能增强芴类共轭聚合物发射强度衬底及其制备方法及应用有效
申请号: | 201610353241.3 | 申请日: | 2016-05-25 |
公开(公告)号: | CN105970280B | 公开(公告)日: | 2018-08-14 |
发明(设计)人: | 赵川德;范桂娟;王晓川;于谦 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院化工材料研究所 |
主分类号: | C30B7/10 | 分类号: | C30B7/10;C30B29/16;B82Y40/00;C23C14/34;C23C14/18;C23C22/02;G01N21/64 |
代理公司: | 四川省成都市天策商标专利事务所 51213 | 代理人: | 李静云 |
地址: | 621000*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种能增强芴类共轭聚合物发射强度衬底及其制备方法及应用,所述的制备方法包括以下步骤:利用水热法在无机基底表面生长ZnO纳米棒阵列,得到ZnO纳米棒阵列衬底;采用离子溅射将金或银沉积在ZnO纳米棒阵列衬底表面,得到贵金属纳米颗粒掺杂ZnO纳米棒衬底;在上述的贵金属纳米颗粒掺杂ZnO纳米棒衬底的表面自组装聚多巴胺,得到所述的能增强芴类共轭聚合物发射强度衬底。本发明中的衬底可有效增强芴类共轭聚合物的发射强度,使得聚芴膜在检测芳烃类爆炸物时具有更高的灵敏度和更好的重现性。 | ||
搜索关键词: | 增强 共轭 聚合物 发射 强度 衬底 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种能增强芴类共轭聚合物发射强度衬底的制备方法,其特征在于包括以下步骤:利用水热法在无机基底表面生长ZnO纳米棒阵列,得到ZnO纳米棒阵列衬底;采用离子溅射将金或银沉积在ZnO纳米棒阵列衬底表面,得到贵金属纳米颗粒掺杂ZnO纳米棒衬底;在上述的贵金属纳米颗粒掺杂ZnO纳米棒衬底的表面自组装聚多巴胺,得到所述的能增强芴类共轭聚合物发射强度衬底;所述的贵金属纳米颗粒掺杂ZnO纳米棒衬底的表面自组装聚多巴胺的具体步骤如下:将多巴胺溶解于pH值为8~9的Tris‑HCl缓冲溶液中,获得浓度为0.1~1mg/mL的多巴胺溶液;再将贵金属纳米颗粒掺杂ZnO纳米棒衬底垂直插入所述多巴胺溶液中,室温下静置12~48h,然后取出,反复用水和乙醇洗涤,N2吹干,得到所述的能增强芴类共轭聚合物发射强度衬底。
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