[发明专利]存储装置

摘要

提供了一种存储装置。所述存储装置包括：单元区域，包括与基底的上表面垂直地延伸的通道区域和与通道区域相邻地堆叠在基底上的多个栅电极层；以及外围电路区域，包括设置在单元区域附近的第一有源区域、面积大于第一有源区域的面积的第二有源区域、连接到第一有源区域的多个第一接触件以及连接到第二有源区域的多个第二接触件。所述多个第一接触件之间的距离小于所述多个第二接触件之间的距离。

主权项

1.一种存储装置，所述存储装置包括：单元区域，包括存储单元，所述单元区域包括多个通道结构和多个栅电极层，所述多个通道结构均从基底的上表面垂直地延伸，并且所述多个栅电极层堆叠在所述基底上以围绕所述多个通道结构的外表面；以及外围电路区域，包括所述存储单元的外围电路，所述外围电路区域包括第一有源区域，形成在所述基底中，第一栅电极，形成在第一有源区域上，第一源/漏区，形成在位于第一栅电极的一侧处的第一有源区域中，第二有源区域，形成在所述基底中并且具有比第一有源区域的面积大的面积，第二栅电极，形成在第二有源区域上，第二源/漏区，形成在位于第二栅电极的一侧处的第二有源区域中，器件隔离层，设置在第一有源区域与第二有源区域之间，多个第一接触件，连接到第一有源区域的第一源/漏区，以及多个第二接触件，连接到第二有源区域的第二源/漏区，其中，与第一源/漏区连接的所述多个第一接触件中的相邻的第一接触件之间的节距小于与第二源/漏区连接的所述多个第二接触件中的相邻的第二接触件之间的节距。