[发明专利]一种金属层膜厚堆叠模型校准的方法及系统有效
| 申请号： | 201610355194.6 | 申请日： | 2016-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN106024664B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 倪念慈;何大权;阚欢;魏芳;朱骏;吕煜坤;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属层膜厚堆叠模型校准的方法及系统，该方法基于准确的金属层化学机械研磨模型，在模型预测能力范围内，通过改变模型输入参数预测不同的DOE晶圆金属层厚度，输出所需的监控区域的厚度，并将其用于光谱校准过程，通过本发明，不仅缩短了校准的时间，而且提高了膜厚堆叠模型的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 层膜厚 堆叠 模型 校准 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种金属层膜厚堆叠模型校准的方法，其特征在于：该方法基于准确的金属层化学机械研磨模型，在模型预测能力范围内，通过改变模型输入参数预测不同的DOE晶圆金属层厚度，输出所需的监控区域的厚度，并将其用于光谱校准过程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
