[发明专利]镁合金表面高导电率高红外发射率膜层的制备方法有效
| 申请号： | 201610355575.4 | 申请日： | 2016-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN105839153B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 郭兴伍;郭嘉成;徐文彬;朱荣玉;章志铖 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C25D3/56 | 分类号： | C25D3/56;C25D5/42 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种镁合金表面高导电率高红外发射率膜层的制备方法；所述方法包括在镁合金表面进行电镀多孔锌镍合金制备高导电率高红外发射率膜层的步骤；采用的电镀液包括镍盐、锌盐/氧化锌、铵盐、硫氰酸盐、表面活性剂和络合剂。本发明在镁合金表面制备出的多孔锌镍合金膜层同时具有高导电率和高红外发射率的性能，膜层红外发射率εh≥0.88；搭接电阻R≤5mΩ；可帮助内部电子产品抵抗恶劣的太空环境，满足宇航用镁合金电子单机机壳的使用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 镁合金 表面 导电 红外 发射 率膜层 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种镁合金表面高导电率高红外发射率膜层，其特征在于，所述高导电率高红外发射率膜层包括以下含量的各组成元素：2.0～3.0at.％S，17.0～20.0at.％Ni，61.0～67.0at.％Zn和12.0～15.0at.％O，余量为杂质；所述镁合金表面高导电率高红外发射率膜层的制备方法，包括在镁合金表面进行电镀多孔锌镍合金制备高导电率高红外发射率膜层的步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学，未经上海交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610355575.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
