[发明专利]一种Ag2Ga纳米针成型机理及尖端形貌控制研究方法在审

专利信息
申请号: 201610355855.5 申请日: 2016-05-26
公开(公告)号: CN106021938A 公开(公告)日: 2016-10-12
发明(设计)人: 张俐楠;郑伟;陈超;吴立群;王洪成 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: G06F19/00 分类号: G06F19/00
代理公司: 杭州千克知识产权代理有限公司 33246 代理人: 周希良
地址: 310018 浙江省杭州市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种Ag2Ga纳米针成型机理及尖端形貌控制研究方法,按如下步骤:一、计算模型建立Ag微粒与Ga微粒发生化学反应生成Ag2Ga,用方程2Ag+Ga=Ag2Ga表示,在整个计算模型中存在着三个密度场变量,定义Ag微粒为c1(x,y,z,t),Ag2Ga纳米针为c2(x,y,z,t),Ga微粒为c3(x,y,z,t),c1为Ag微粒的浓度占总的微粒浓度的百分比,c2为Ag2Ga微粒的浓度占总的微粒浓度的百分比,c3为Ga微粒的浓度占总的微粒浓度的百分比;该计算模型自由能主要由化学能和梯度能组成,用如下方程表示: <mrow> <mi>G</mi> <mo>=</mo> <munder> <mo>&Integral;</mo> <mi>v</mi> </munder> <mo>{</mo> <msub> <mi>F</mi> <mrow> <mi>c</mi> <mi>h</mi> </mrow> </msub> <mo>+</mo> <msub> <mi>F</mi> <mrow> <mi>g</mi> <mi>r</mi> <mi>a</mi> <mi>d</mi> </mrow> </msub> <mo>}</mo> <mi>d</mi> <mi>V</mi> <mo>-</mo> <mo>-</mo> <mo>-</mo> <mrow> <mo>(</mo> <mn>1</mn> <mo>)</mo> </mrow> </mrow>其中,Fch表示化学能量变化,Fgrad表示梯度能量变化;二、通过改变材料的表面能来探究纳米针尖端形貌变化的作用规律,控制不同材料纳米针尖端形貌变化。
搜索关键词: 一种 ag sub ga 纳米 成型 机理 尖端 形貌 控制 研究 方法
【主权项】:
一种Ag2Ga纳米针成型机理及尖端形貌控制研究方法,其特征是按如下步骤:一、计算模型建立Ag微粒与Ga微粒发生化学反应生成Ag2Ga,用方程2Ag+Ga=Ag2Ga表示,在整个计算模型中存在着三个密度场变量,定义Ag微粒为c1(x,y,z,t),Ag2Ga纳米针为c2(x,y,z,t),Ga微粒为c3(x,y,z,t),c1为Ag微粒的浓度占总的微粒浓度的百分比,c2为Ag2Ga微粒的浓度占总的微粒浓度的百分比,c3为Ga微粒的浓度占总的微粒浓度的百分比;该计算模型自由能主要由化学能和梯度能组成,用如下方程表示:其中,Fch表示化学能量变化,Fgrad表示梯度能量变化;二、通过改变材料的表面能来探究纳米针尖端形貌变化的作用规律,控制不同材料纳米针尖端形貌变化。
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