[发明专利]晶体管在审
| 申请号： | 201610356218.X | 申请日： | 2016-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN105826370A | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 王佳佳;丁庆 | 申请（专利权）人： | 深圳市华讯方舟科技有限公司;深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 518102 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶体管，在晶体管的势垒层中设置了低掺杂漏区，由于低掺杂漏区与势垒层中除低掺杂漏区外的区域的电负性的差异，低掺杂漏区的存在可以调节势垒层中二维电子气，改变势垒层中栅极下方的耗尽层的电场强度，使电场重新分布，减小电场峰值，降低陷阱效应，从而提高击穿电压，同时引入了场板，栅极边缘耗尽层边界的弯曲程度减弱，电场分布得到调制，峰值电场减小，陷阱效应降低，进一步提高了击穿电压，在低掺杂漏区和场板的共同作用下，极大地提高了晶体管的击穿电压，增加了晶体管工作的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 | ||
【主权项】：
一种晶体管，其特征在于，包括势垒层、栅极、漏极、场板以及低掺杂漏区；所述低掺杂漏区设置在所述栅极和所述漏极之间的势垒层内部，且所述低掺杂漏区的一端与漏极的边缘重合，所述低掺杂漏区的另一端与所述栅极的边缘不重合；所述场板与所述栅极连接，所述场板位于所述栅极和所述漏极之间。
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