[发明专利]场效应晶体管

摘要

场效应晶体管。将绝缘膜设置在包含含有铟作为主要组分的第一氧化物半导体的第一半导体层的一个表面上，并且将包含i型第二氧化物半导体的第二半导体层以与第一半导体层的另一个表面接触的方式设置在上述另一个表面上。第二氧化物半导体的真空能级和费米能级之间的能量差大于第一氧化物半导体的该能量差。在第一半导体层中，与满足上述条件的第二氧化物半导体的结合表面近旁的区域为具有极低载流子浓度的区域(准i型区域)。通过利用该区域作为沟道，能够降低截止电流。另外，FET的漏极电流穿过具有高迁移率的上述第一氧化物半导体；因此，能够取出大量的电流。

主权项

1.一种场效应晶体管，包括：包含第一氧化物半导体的第一半导体层，其中，该第一氧化物半导体含有铟作为主要组分；与上述第一半导体层的一个表面接触的第二半导体层，其中，该第二半导体层包含第二氧化物半导体，该第二氧化物半导体包含镓和铟，该第二氧化物半导体为i型氧化物半导体，以及该第二氧化物半导体的带隙宽于上述第一氧化物半导体的带隙；与所述第一半导体层的另一个表面接触的第三半导体层，其中，该第三半导体层包括第三氧化物半导体，该第三氧化物半导体包含镓和铟，该第三氧化物半导体的带隙宽于上述第一氧化物半导体的带隙，且该第三半导体层具有大于或等于0.1nm且小于或等于20nm的厚度；与上述第一半导体层的另一个表面相邻的导电层；以及在上述导电层和上述第三半导体层之间的绝缘层，其中，上述第一氧化物半导体的真空能级和上述第一氧化物半导体的费米能级之间的能量差大于上述第二氧化物半导体的真空能级和上述第二氧化物半导体的费米能级之间的能量差，且其中，上述第一氧化物半导体的真空能级和上述第一氧化物半导体的费米能级之间的能量差大于上述第三氧化物半导体的真空能级和上述第三氧化物半导体的费米能级之间的能量差。