[发明专利]静态随机存取存储器的布局图案

摘要

本发明公开一种静态随机存取存储器的布局图案，至少包含一第一上拉晶体管、一第二上拉晶体管、一第一下拉晶体管、一第二下拉晶体管、一第一存取晶体管以及一第二存取晶体管位于一基底上，多个鳍状结构位于基底上，至少包含有一至少一第一鳍状结构与至少一第二鳍状结构，至少一J状栅极结构，该至少一J状栅极结构包含有一长边部分、一短边部分以及一连接该长边部分与该短边部分的桥接部分，以及至少一第一延伸接触结构，横跨于该至少一第一鳍状结构与该至少一第二鳍状结构，其中该至少一第一延伸接触结构与该桥接部分不重叠。

主权项

一种静态随机存取存储器的布局图案，至少包含：第一上拉晶体管(PL1)、第二上拉晶体管(PL2)、第一下拉晶体管(PD1)、第二下拉晶体管(PD2)、第一存取晶体管(PG1)以及第二存取晶体管(PG2)位于一基底上；多个鳍状结构位于该基底上，该些鳍状结构至少包含有至少一第一鳍状结构与至少一第二鳍状结构；J状栅极结构，该J状栅极结构包含有一长边部分、一短边部分，以及一连接该长边部分与该短边部分的桥接部分，其中该第一下拉晶体管(PD1)至少包含该J状栅极结构以及该些多个鳍状结构，其中该长边部分横跨于该至少一第一鳍状结构与该至少一第二鳍状结构，而该短边部分则跨越该至少一第一鳍状结构；第一存取栅极结构，位于该基底上，其中该第一存取栅极结构与该J状栅极结构的该短边部分排列方向相同，且该第一存取栅极结构与该J状栅极结构的该短边部分具有相同的一对称轴；以及第一延伸接触结构(N1)，横跨于该至少一第一鳍状结构与该至少一第二鳍状结构，其中该第一延伸接触结构与该桥接部分不重叠。