[发明专利]改善闪存浅槽嵌壁工艺缺陷的双光刻处理方法有效
| 申请号： | 201610357144.1 | 申请日： | 2016-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN105931994B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 殷冠华;陈昊瑜;秦佑华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11541 | 分类号： | H01L27/11541 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种改善闪存浅槽嵌壁工艺缺陷的双光刻处理方法，包括：对包含逻辑区和存储区的晶圆执行浅槽嵌壁光刻工艺，以在逻辑区形成光刻胶层；对存储区的浅沟槽隔离执行第一次部分湿法刻蚀；执行第二次浅槽嵌壁光刻工艺，由此去除第一次部分湿法刻蚀造成的光刻胶表面的不平整；对浅沟槽隔离执行第二次部分湿法刻蚀，以使得浮栅结构高出浅沟槽隔离的高度满足浅槽嵌壁深度要求；在存储区执行ONO层生长。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 闪存 浅槽嵌壁 工艺 缺陷 光刻 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善闪存浅槽嵌壁工艺缺陷的双光刻处理方法，其特征在于包括：第一步骤：对包含逻辑区和存储区的晶圆执行浅槽嵌壁光刻工艺，以在逻辑区形成光刻胶层；第二步骤：对存储区的浅沟槽隔离执行第一次部分湿法刻蚀；第三步骤：执行第二次浅槽嵌壁光刻工艺，由此去除第一次部分湿法刻蚀造成的光刻胶表面的不平整，第一次浅槽嵌壁光刻工艺和第二次浅槽嵌壁光刻工艺采用相同的浅槽嵌壁光刻工艺；第四步骤：对浅沟槽隔离执行第二次部分湿法刻蚀，以使得浮栅结构高出浅沟槽隔离的高度满足浅槽嵌壁深度要求；第五步骤：在存储区执行ONO层生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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