[发明专利]加热腔室及半导体加工设备

摘要

本发明提供一种加热腔室及半导体加工设备，在加热腔室内设置有介质窗，用以将加热腔室分隔形成上子腔室和下子腔室，其中，在下子腔室内设置有承载部件，承载部件包括用于承载基片的承载面，在上子腔室内设置有多个加热灯，用于透过介质窗朝向承载面辐射热量，各个所述加热灯与承载面之间的竖直间距不同，以使辐射至置于承载面上的基片不同区域的热量趋于一致。本发明提供的加热腔室，其可以更均匀地加热基片，从而可以提高工艺均匀性。

主权项

1.一种加热腔室，在所述加热腔室内设置有介质窗，用以将所述加热腔室分隔形成上子腔室和下子腔室，其中，在所述下子腔室内设置有承载部件，所述承载部件包括用于承载基片的承载面，在所述上子腔室内设置有多个加热灯，用于透过所述介质窗朝向所述承载面辐射热量，其特征在于，各个所述加热灯与所述承载面之间的竖直间距不同，以使辐射至置于所述承载面上的基片不同区域的热量趋于一致；其中，在所述上子腔室的径向横截面上，多个所述加热灯的投影分布在至少两个不同半径的第一圆上，所述第一圆以所述径向横截面的中心为圆心；并且，不同所述第一圆上的加热灯与所述承载面之间的竖直间距不同，而同一所述第一圆上的加热灯与所述承载面之间的竖直间距相同；在所述上子腔室的轴向横截面上，不同所述第一圆上的加热灯的投影分布在同一第二圆上；所述加热灯所在所述第一圆的半径越大，该加热灯与所述承载面之间的竖直间距越小；其中一个所述加热灯位于所述径向横截面的中心；所述第二圆的半径采用如下公式获得：D²＝(2R‑H)×H；其中，D为所述上子腔室的内壁半径；R为所述第二圆的半径；H为半径最大的所述第一圆上的加热灯与位于所述径向横截面的中心的加热灯之间的高度差。