[发明专利]用于从单晶衬底转移层的方法有效
| 申请号： | 201610357371.4 | 申请日： | 2016-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN106409692B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 卢多维克·埃卡尔诺;尼古拉斯·达瓦尔;纳迪娅·本默罕默德;F·博迪特;C·大卫;I·格林 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 用于从单晶衬底转移层的方法。本发明涉及一种用于将层(11)从称为施主衬底(1)的单晶衬底转移至受主衬底(2)上的方法，该方法包括以下步骤：提供所述单晶施主衬底(1)，所述衬底具有在晶体的第一方向上定向的凹口和限定将被转移层(11)的弱区域(10)；将单晶施主衬底(1)接合至受主衬底(2)上，相对于将被转移的层(11)与弱区域(10)相反的施主衬底的主表面(12)位于接合界面处；沿着弱区域(10)分离施主衬底(1)，所述方法特征在于，施主衬底(1)在接合至受主衬底(2)的主表面(12)上具有基本上在晶体的不同于所述第一方向的第二方向上延伸的原子台阶的阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 衬底 转移 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于将层(11)从称为施主衬底(1)的单晶衬底转移至受主衬底(2)上的方法，所述方法包括以下步骤：‑提供所述单晶施主衬底(1)，所述单晶施主衬底具有在晶体的第一方向上定向的凹口和限定将被转移的所述层(11)的弱区域(10)，‑将所述单晶施主衬底(1)接合至所述受主衬底(2)上，相对于将被转移的所述层(11)与所述弱区域(10)相反的所述施主衬底的主表面(12)位于接合界面处，‑沿着所述弱区域(10)分离所述施主衬底(1)，所述方法的特征在于，通过切割单晶锭的区段来获得所述施主衬底(1)，仅以所述晶体的不同于所述第一方向的第二方向上的倾斜度进行切割，并且所述施主衬底(1)在接合至所述受主衬底(2)的所述主表面(12)上具有基本上在晶体的所述第二方向上延伸的原子台阶的阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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