[发明专利]一种LED外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201610357580.9 | 申请日： | 2016-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN105845797A | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 冯猛;陈立人;刘恒山 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种LED外延结构,所述LED外延结构包括：衬底；位于所述衬底上的半导体外延层，包括N型半导体层、发光层及P型半导体层；所述发光层及N型半导体之间还设置有用以减少电子逃逸的电子减速层，所述电子减速层包括n层厚度为1至20nm的AlInGaN层堆叠而成。通过在发光层及N型半导体之间设置有用以减少电子逃逸的电子减速层，并且所述电子减速层由n层厚度为1至20nm的AlInGaN层堆叠而成，可有效降低电子的速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED外延结构,其特征在于：所述LED外延结构包括：衬底；位于所述衬底上的半导体外延层，包括N型半导体层、发光层及P型半导体层；所述发光层及N型半导体之间还设置有用以减少电子逃逸的电子减速层，所述电子减速层由n层厚度为1至20nm的AlInGaN层堆叠而成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于聚灿光电科技股份有限公司，未经聚灿光电科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610357580.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：应用在换热器中的端盖及具有该端盖的换热器
- 下一篇：水冷却器
