[发明专利]一种LED晶圆劈裂方法有效
申请号: | 201610359079.6 | 申请日: | 2016-05-27 |
公开(公告)号: | CN105826255B | 公开(公告)日: | 2017-11-28 |
发明(设计)人: | 肖和平;陈亮;曹来志;马祥柱;杨凯 | 申请(专利权)人: | 扬州乾照光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L33/00;B28D5/04;B28D7/00 |
代理公司: | 扬州市锦江专利事务所32106 | 代理人: | 江平 |
地址: | 225009 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种LED晶圆劈裂方法,属于半导体技术领域,采用外周设置有张紧环的白膜,从较大程度上保障在劈裂时,白膜发生移动而直接影响劈裂时下刀位置的精度。采用在劈刀外周套置随劈刀移动的浮动压板,有效控制白膜的局部形变,能直接提高劈裂时下刀位置的精准度。以激光厚度扫描装置对LED晶圆和LED晶圆正面的白膜厚度进行扫描,然后将扫描的厚度数据传输给裂片机主控程序,用于控制每次劈刀的劈裂深度。可有效克服LED晶圆及白膜的厚度误差,使每一劈裂动作都精准。本发明提高LED晶圆的裂片制程良率。 | ||
搜索关键词: | 一种 led 劈裂 方法 | ||
【主权项】:
一种LED晶圆劈裂方法,将LED晶圆背面粘附在白膜上,置于激光划线机中,对LED晶圆进行激光划片,经清洗后,在LED晶圆正面贴附另一白膜,将晶圆置于裂片机工作台上,采用劈刀自LED晶圆正面的白膜向下进行劈裂;其特征在于:粘附在LED晶圆正面或背面的至少一张白膜的外周设置有张紧环;在劈刀外周套置随劈刀移动的浮动压板;在劈刀进行劈裂动作过程中,浮动式压板始终压紧LED晶圆表面的白膜,使得每次劈裂时,在浮动式压板下压的范围内的白膜的形变得到进一步控制,劈刀位置与LED晶圆上激光划痕重合,大大降低LED晶圆上激光划出切割线位置和劈裂位置发生偏移的机率,减少晶圆上切割位置和劈裂位置发生偏移而导致的斜裂与双晶的机率,从而提升LED晶圆的裂片良率;在劈裂时,以激光厚度扫描装置对LED晶圆和LED晶圆正面的白膜厚度进行扫描,将扫描的厚度数据传输给裂片机主控程序,用于控制每次劈刀的劈裂深度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州乾照光电有限公司,未经扬州乾照光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610359079.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造