[发明专利]具有铁磁性B掺杂g-C3N4二维超薄纳米片的制备方法

摘要

一种具有铁磁性B掺杂g‑C3N4二维超薄纳米片的制备方法，通过在氩气环境中高温降解三聚氰胺和氧化硼前驱物，而后进行化学剥离的方法得到了具有室温铁磁性的二维超薄B掺杂g‑C3N4纳米片，在自旋电子学方面非常有前景的材料。本发明的优点通过高温降解前驱物的方法得到B掺杂的g‑C3N4二维超薄纳米片，B掺杂后不产生杂相，样品具有铁磁性并且居里温度远远高于室温；本方法可以通过控制前驱物中三聚氰胺与氧化硼的质量比来实现不同的掺杂浓度，从而控制样品的饱和磁化强度。本发明方法原料价格低廉，制备方法简单，操作方便，产率高，对环境无污染，适合工业生产。

主权项

一种具有铁磁性B掺杂g‑C3N4二维超薄纳米片的制备方法，其特征在于具体工艺为：a)将三聚氰胺与氧化硼加入到酒精中，搅拌至氧化硼完全溶解，所述三聚氰胺与氧化硼的质量比为80 : 1‑4；b)将溶液放在80‑100摄氏度的烘箱中蒸干得到充分混合的三聚氰胺与氧化硼前驱物，将前驱物研磨成粉；c)将研磨成粉的前驱物放入瓷舟中，在管式炉氩气环境中从室温升温至500‑550摄氏度，在500‑550摄氏度保温2小时后升至600‑650摄氏度，在600‑650摄氏度保温2‑4小时，关闭电源使其自然冷却至室温；所述氩气的流量为20‑150 sccm；所述升温速率为5‑10摄氏度每分钟；d)将产物取出用酒精清洗以去除未反应的氧化硼粉末，然后在水溶液中超声，超声1‑10小时对样品进行剥离，最终得到B掺杂g‑C3N4二维超薄纳米片。