[发明专利]一种2H-MoS2纳米片的制备方法

摘要

本发明公开了一种2H‑MoS2纳米片的制备方法，先将钼精矿放置在气流粉碎机中，粉碎成超细粉；然后将超细粉加入到THPS水溶液中，调节pH值为5.0～6.0，再边加热边缓慢滴加H2O2，搅拌混匀，静置分层后，取上层液进行过滤，对过滤出的固体物进行真空干燥，得到2H‑MoS2纳米片。本发明采用钼精矿在常压下操作制备2H‑MoS2纳米片，该方法工艺简单、制备效率高，且整个过程能耗低、无污染，对环境友好，能够广泛适用于工业生产，制备出的2H‑MoS2纳米片可广泛应用于能量储存与转化、催化、润滑以及各种复合材料等领域。

主权项

1.一种2H‑MoS2纳米片的制备方法，其特征在于，先将钼精矿放置在气流粉碎机中，粉碎成超细粉；然后将超细粉加入到THPS水溶液中，调节pH值为5.0～6.0，再边加热边缓慢滴加H2O2，搅拌2～8h，混匀，静置分层后，取上层液进行过滤，对过滤出的固体物进行真空干燥，得到2H‑MoS2纳米片；其中，所述THPS水溶液的浓度为4％～10％，所述THPS水溶液质量为所述超细粉的1000～1500倍，所述H2O2的质量分数为30％，所述H2O2的质量为所述超细粉的66～190倍；所述钼精矿中Mo的含量≥59％；所述超细粉激光粒度D50＝0.5～0.8μm；所述H2O2的滴加速度0.4～0.6mL/min；所述2H‑MoS2纳米片的横向尺寸为0.2～5μm，厚度为0.7～2nm。