[发明专利]单畴区大面积有序纳米阵列结构嵌段共聚物薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201610361949.3 | 申请日： | 2016-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN105968394A | 公开（公告）日： | 2016-09-28 |
| 发明（设计）人： | 石玲英;雷伟伟;冉蓉 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08F293/00;C08L53/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单畴区大面积有序纳米阵列结构嵌段共聚物薄膜的制备方法，通过原子转移自由基聚合方法合成一种窄分子量分布的具有热力学稳定体心立方结构的嵌段共聚物，选择低表面能疏水的碳膜为基地，通过浇铸成膜方法制备出一种单畴区大面积有序纳米整列结构嵌段共聚物薄膜材料。该发明利用热力学稳定的非连续相无空间各向异性的体心立方结构的嵌段共聚物的自组装特点，实现了大面积有序纳米阵列结构嵌段共聚物薄膜的构建，在纳米模版与纳米光刻等领域具有重要的潜在应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 单畴区 大面积 有序 纳米 阵列 结构 共聚物 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种单畴区大面积有序纳米阵列结构嵌段共聚物薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：通过原子转移自由基聚合（ATRP）方法制备出窄分子量分布的嵌段共聚物，通过浇铸成膜方法得到嵌段共聚物薄膜，通过热退火处理得到热力学控制的大畴区有序纳米整列结构的薄膜材料。
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