[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、衬底基板及显示装置

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法、衬底基板及显示装置。制作方法包括：在衬底基板上形成半导体层，半导体层包括：第一金属氧化物图形和覆盖该第一金属氧化物图形的第二金属氧化物图形；通过掩膜版，使用酸性刻蚀液，对未落入该掩膜版区域的第二金属氧化物图形刻蚀；掩膜版落入第二金属氧化物图形区域内，刻蚀液与未落入掩膜版区域的第一金属氧化物图形的表面发生化学反应，形成作为源/漏极的导体。相比于现有的顶栅型氧化物薄膜晶体管的等离子体处理等导体化技术，本发明的化学方法所生成的导体电阻更稳定，且由两个图层组成的半导体结构可进一步降低薄膜晶体管的关态电流。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成半导体层，所述半导体层依次包括：第一金属氧化物图形和第二金属氧化物图形，所述第二金属氧化物图形覆盖所述第一金属氧化物图形；通过掩膜版，使用酸性的刻蚀液，对未落入该掩膜版区域的第二金属氧化物图形进行刻蚀；其中，所述掩膜版落入所述第二金属氧化物图形区域内，所述酸性的刻蚀液与未落入掩膜版区域的第一金属氧化物图形的表面发生化学反应，形成作为源极和漏极的导体，所述酸性的刻蚀液能够溶解所述第二金属氧化物并与所述第一金属氧化物发生化学反应生成金属导体。