[发明专利]一种坚固的功率半导体场效应晶体管结构

摘要

一种坚固的功率半导体场效应晶体管结构,本发明涉及功率半导体器件的结构，为提供一种具有高密度的栅极控制的隧穿结的坚固的功率FET结构，其改进点在于：在所述第一导电类型的漂移区顶部上设有多个均匀排列的第一导电类型的轻掺杂JFET区，所述的多个第一导电类型的轻掺杂JFET区被第二导电类型的重掺杂源区侧向包围，本发明的有益效果在于，降低比导通电阻。

主权项

1.一种坚固的功率半导体场效应晶体管结构，所述的晶体管结构为最底部处设有漏极电极，在所述漏极电极顶部上设有第一导电类型的重掺杂漏区，在所述第一导电类型的重掺杂漏区的顶部上设有第一导电类型的轻掺杂漂移区，在所述第一导电类型的漂移区顶部上设有第二导电类型的重掺杂源区和第一导电类型的轻掺杂JFET区，在第二导电类型的重掺杂源区和第一导电类型的轻掺杂JFET区顶部设有栅极电介质，所述的栅极电介质上方设有栅极电极，所述的栅极电极顶部设有层间电介质，层间电介质覆盖在栅极电极上方，并与第二导电类型的重掺杂源区上表面相接触，所述的层间电介质顶部设有源级电极，源极电极与第二导电类型的重掺杂源区接触且通过层间电介质与栅极分离，其特征在于：在所述第一导电类型的漂移区顶部上设有多个均匀排列的第一导电类型的轻掺杂JFET区，所述的多个第一导电类型的轻掺杂JFET区被第二导电类型的重掺杂源区侧向包围。