[发明专利]一种功率半导体芯片背面金属结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201610362478.8 | 申请日： | 2016-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN106024761A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 伊夫蒂哈尔艾哈迈德;舒小平;徐远梅 | 申请（专利权）人： | 中山港科半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L23/532;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人： | 胡坚 |
| 地址： | 528437 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种功率半导体芯片背面金属结构及其制备方法，本发明属于半导体芯片的结构和制造技术，为降低芯片背面常用的钛/镍/银结构的寄生电阻，本发明提供一种寄生电阻更小的功率半导体芯片的背面金属结构，以及该金属结构的制造方法：所述的金属结构自芯片背面与硅接触的位置开始依次为：NixSiy层，所述的NixSiy的厚度为2nm‑20nm，其中x:y为(1‑2):(1‑2)；钛层，所述的钛层的厚度为50nm‑150nm；镍层，所述的镍层的厚度为100nm‑300nm；银层，所述的银层的厚度为500nm‑2000nm。本发明的有益效果在于，本发明提供的功率半导体芯片的背面金属结构，其寄生电阻更小，有利于降低功率半导体芯片的导通损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体 芯片 背面 金属结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体芯片背面金属结构，其特征在于，所述的金属结构自芯片背面与硅接触的位置开始依次为：NixSiy层，所述的NixSiy的厚度为2nm‑20nm，其中x:y为(1‑2):(1‑2)；钛层，所述的钛层的厚度为50nm‑150nm；镍层，所述的镍层的厚度为100nm‑300nm；银层，所述的银层的厚度为500nm‑2000nm。
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