[发明专利]雪崩光电二极管及其制造方法

摘要

本发明提出了一种雪崩光电二极管及其制造方法，该雪崩光电二极管的感光区与第一导电类型掺杂区以及第二导电类型掺杂区完全隔离，感光面积不受工作电压与雪崩增益的影响，而且感光区被所述第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区围绕，能够有效降低边缘漏电且暗电流低、信噪比高。

主权项

1.一种雪崩光电二极管，其特征在于，包括：基板；形成在所述基板上方的器件层；形成在所述器件层内的感光区、第一导电类型掺杂区、第二导电类型掺杂区和雪崩增益区，其中，所述第一导电类型掺杂区、雪崩增益区和第二导电类型掺杂区从下到上依次分布；所述第一导电类型掺杂区、第二导电类型掺杂区和雪崩增益区围绕所述感光区且不与所述感光区接触；形成在所述器件层上方的抗反射膜层；穿过所述抗反射膜层且与所述第二导电类型掺杂区连接的阳极金属区，穿过所述抗反射膜层且与所述感光区连接的感光金属区；以及穿过所述基板且与所述第一导电类型掺杂区连接的阴极金属区。