[发明专利]一种利用MOCVD设备对石墨托盘进行腐蚀清洗的方法有效
| 申请号： | 201610362921.1 | 申请日： | 2016-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN105834171B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 张雨;于军;吴德华;张新;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B08B7/00 | 分类号： | B08B7/00;C23C16/458;C30B25/12 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种利用MOCVD设备对石墨托盘进行腐蚀清洗的方法，包括以下步骤：（1）将石墨托盘放入MOCVD设备的反应室中；（2）调整反应室和反应室上盖石英制顶板的温度；（3）通入氯化氢，进行预腐蚀；（4）提升氯化氢流量，根据石墨托盘生长材料厚度来决定腐蚀的速率；（5）停止通入氯化氢，对石墨托盘进行烘烤；（6）关闭加热，反应室温度降至100℃以下时，腐蚀清洗完毕。本发明直接在MOCVD设备的基础上对石墨盘进行腐蚀，不必额外进行设备改造，通过氯化氢腐蚀对石墨托盘进行清洗，既解决了腐蚀均匀性的难题，又对腐蚀程度进行了精确把握，间接减小了对石墨托盘的影响，延长了石墨托盘的使用寿命，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 mocvd 设备 石墨 托盘 进行 腐蚀 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用MOCVD设备对石墨托盘进行腐蚀清洗的方法，其特征是，包括以下步骤：（1）将石墨托盘放入MOCVD设备的反应室中，反应室压力调整至400mbar‑800mbar；（2）将反应室温度调整至700℃～850℃，将反应室上盖的石英制顶板的温度设定为150℃‑200℃；（3）通入流量为100sccm～400sccm的氯化氢，进行预腐蚀；（4）将氯化氢流量升至400sccm‑500sccm，根据石墨托盘上的生长材料厚度决定腐蚀时间，通入要求时间的氯化氢，保证石墨托盘上生长材料的腐蚀速率在3.5～5.5μm/分钟；（5）停止通入氯化氢，反应室温度维持700℃～850℃，将石英制顶板温度升至200℃‑280℃，对石墨托盘进行烘烤；（6）停止加热，反应室温度下降至100℃以下时，腐蚀清洗完毕；所述步骤（5）中，在烘烤至一半时间时，通入砷烷，流量设定为100sccm～500sccm。
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