[发明专利]一种基于多晶面Ir‑Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜紫外探测器及其制备方法有效
申请号: | 201610363130.0 | 申请日: | 2016-05-27 |
公开(公告)号: | CN106024966B | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 阮圣平;徐睿良;郭文滨;沈亮;董玮;温善鹏;周敬然;刘彩霞;陈川;孙亮 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/18 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司22201 | 代理人: | 刘世纯,王恩远 |
地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 一种基于多晶面Ir‑Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜紫外探测器及其制备方法,属于半导体紫外光电探测技术领域。按紫外光线入射方向,从下至上依次为石英片衬底、多晶面Ir‑Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜、通过磁控溅射方法制备的Au叉指电极。多晶面Ir‑Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜的厚度为80~110nm;在该薄膜中,Ti与Ir的摩尔比为10.0005~0.002,Ti与Pd的摩尔比为10.0005~0.002,Ir‑Pd纳米粒子体系中的Ir纳米粒子和Pd纳米粒子均为多晶面结构。制作多晶面Ir‑Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜材料,可以在Ir,Pd纳米粒子和TiO2三种材料优良性质的基础之上,通过调节掺杂Ir,Pd纳米粒子的量,更好的提升复合材料性能,从而提高器件在紫外探测领域的能力,使新型紫外探测器具有广阔的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 多晶 ir pd 纳米 粒子 体系 掺杂 tio sub 薄膜 紫外 探测器 及其 | ||
【主权项】:
一种基于多晶面Ir‑Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜紫外探测器,其特征在于:按紫外光线入射方向,从下至上依次为:石英片衬底、多晶面Ir‑Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜、通过磁控溅射方法制备的Au叉指电极;多晶面Ir‑Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜的厚度为80~110nm;在该薄膜中,Ti与Ir的摩尔比为1:0.0005~0.002,Ti与Pd的摩尔比为1:0.0005~0.002,且Ir‑Pd纳米粒子体系中的Ir纳米粒子和Pd纳米粒子均为多晶面结构;且该探测器由如下步骤所述方法制备得到,(1)多晶面Ir‑Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜的制备将多晶面Ir纳米粒子和多晶面Pd纳米粒子,按Ti与Ir的摩尔比为1:0.0005~0.002,Ti与Pd的摩尔比为1:0.0005~0.002的比例掺入TiO2溶胶中,常温下搅拌3~6小时,然后静置6~12小时;将静置后的含Ir‑Pd纳米粒子体系的TiO2溶胶涂在清洁处理后的石英片衬底上,用旋涂的方法使其形成溶胶薄膜,旋涂的转速为1500~3000转/分钟,旋涂的时间为20~30秒;完成后再在80~120℃条件下烘干10~15分钟,取出衬底并冷却后,重复旋涂和烘干步骤4~6次,以达到所需要的薄膜厚度;最后将薄膜连同石英片衬底在80~100℃条件下烘干10~15分钟,自然降温冷却后,最终在石英片衬底上得到多晶面Ir‑Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜;(2)基于多晶面Ir‑Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜的紫外探测器的制备首先采用旋涂、光刻、显影技术在多晶面Ir‑Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜表面形成具有镂空叉指状窗口的光刻胶薄膜,然后采用磁控溅射技术制备金属电极,最后清洁薄膜表面,从而完成器件的制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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