[发明专利]绝缘栅型开关元件制造方法

摘要

本发明提供一种能够以均匀的深度向栅电极及其附近的半导体基板注入杂质，并且能够抑制所注入的杂质的扩散的绝缘栅型开关元件的制造方法。绝缘栅型开关元件的制造方法具有：沟槽形成工序、栅极绝缘膜形成工序、在沟槽内和半导体基板的表面上堆积由半导体构成的电极层的工序、对电极层进行研磨而使其基底层露出的工序、通过热处理而在沟槽内的电极层的表层部上形成盖绝缘膜的工序、杂质注入工序。在杂质注入工序中，自半导体基板的表面侧向从沟槽内的电极层跨至半导体基板的范围内注入杂质。

主权项

一种制造方法，其为绝缘栅型开关元件的制造方法，所述制造方法具有：在半导体基板的表面上形成沟槽的工序；在所述沟槽内形成栅极绝缘膜的工序；在所述栅极绝缘膜形成后，在所述沟槽内和所述表面上堆积由半导体构成的电极层的工序；通过对所述电极层进行研磨，从而去除所述表面上的所述电极层而使其基底层露出的工序；在使所述基底层露出之后，通过对所述半导体基板进行热处理而在所述沟槽内的所述电极层的表层部上形成盖绝缘膜的工序；在形成所述盖绝缘膜之后，自所述表面侧向从所述沟槽内的所述电极层跨至所述半导体基板的范围内注入杂质的工序。