[发明专利]粘接片、切割带一体型粘接片、薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置有效
| 申请号： | 201610363443.6 | 申请日： | 2016-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN106206394B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 木村雄大;三隅贞仁;高本尚英;大西谦司;宍户雄一郎 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及粘接片、切割带一体型粘接片、薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明的目的在于提供能够有效地使芯片处产生的热释放至引线框的粘接片。本发明的目的还在于提供包含该粘接片的切割带一体型粘接片、薄膜等。本发明涉及粘接片。使用本发明的粘接片形成具有引线框、配置在引线框上的粘接层和配置在粘接层上的硅芯片的装置时，粘接层和引线框的界面热阻为0.15K/W以下，总热阻为0.55K/W以下。总热阻为界面热阻和粘接层的内部热阻的合计。 | ||
| 搜索关键词： | 粘接片 切割 体型 薄膜 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种粘接片，其中，通过包括自粘接片切出粘接薄膜的步骤和对具有引线框、配置在所述引线框上的所述粘接薄膜和配置在所述粘接薄膜上的硅芯片的结构体进行加热的步骤的方法而形成具有所述引线框、配置在所述引线框上的粘接层和配置在所述粘接层上的硅芯片的装置时，所述粘接层与所述引线框的界面热阻为0.15K/W以下，所述界面热阻与所述粘接层的内部热阻的合计即总热阻为0.55K/W以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
