[发明专利]一种全耗尽绝缘层硅晶体管的形成方法

摘要

本发明公开了一种全耗尽绝缘层硅晶体管的形成方法，在SOI衬底上，通过在源漏层淀积一层金属，并连接在局部区域形成的高掺杂、激活的源漏区，可使串联电阻得到显著减小，从而解决了传统技术中因使用硅化物掺杂层所带来的接触电阻高的问题。

主权项

1.一种全耗尽绝缘层硅晶体管的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：提供一绝缘体上硅衬底，在所述绝缘体上硅衬底上形成栅极以及栅极侧墙；步骤二：在栅极以及栅极侧墙两侧的绝缘体上硅衬底中形成源漏区图形；步骤三：去除源漏区图形中的硅材料，以在源漏区图形位置形成凹槽；步骤四：淀积一金属层，将凹槽填充，然后，去除凹槽以外多余的金属层部分；步骤五：去除侧墙，暴露出侧墙下方位置的衬底硅；步骤六：执行选择性外延原位掺杂淀积硅，在暴露出的衬底硅位置形成局部重掺杂的源漏区，并与金属层相连，共同构成全耗尽绝缘层硅晶体管器件的源漏区。