[发明专利]一种基于天线效应的片上指纹电路及其ID产生单元有效
| 申请号： | 201610363759.5 | 申请日： | 2016-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN106096498B | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 唐枋;曾广旺;李世平;周喜川;胡盛东;甘平;叶楷;舒洲;陈卓;殷鹏;王忠杰;黄莎琳;李明东 | 申请（专利权）人： | 深圳华视微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06K9/00 | 分类号： | G06K9/00 |
| 代理公司： | 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 | 代理人： | 高瑞;张秋红 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及了一种基于天线效应的片上指纹电路及其ID产生单元，该ID产生单元包括电阻及分别为N沟道型的第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管和第五MOS管，其中，第一MOS管的栅极及第五MOS管的栅极、源极和漏极均接高电平，第一MOS管的源极、漏极及第二MOS管的漏极分别接第三MOS管的栅极，第二MOS管的栅极和源极接地，第三MOS管的源极接地，第三MOS管的漏极接第四MOS管的漏极，第四MOS管的栅极为该ID产生单元的高电平选中端，第四MOS管的源极连接电阻的一端，电阻的另一端为该ID产生单元的输出端，而且，第一MOS管的栅极和第五MOS管的栅极在芯片生成过程中受天线效应随机地击穿。实施本发明的技术方案，降低了电路的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 天线 效应 指纹 电路 及其 id 产生 单元 | ||
【主权项】：
1.一种基于天线效应的ID产生单元，用于在天线效应下产生一随机码，其特征在于，包括电阻及分别为N沟道型的第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管和第五MOS管，其中，所述第一MOS管的栅极及所述第五MOS管的栅极、源极和漏极均接高电平，所述第一MOS管的源极、漏极及所述第二MOS管的漏极分别接所述第三MOS管的栅极，所述第二MOS管的栅极和源极接地，所述第三MOS管的源极接地，所述第三MOS管的漏极接所述第四MOS管的漏极，所述第四MOS管的栅极为该ID产生单元的高电平选中端，所述第四MOS管的源极连接所述电阻的一端，所述电阻的另一端为该ID产生单元的输出端，而且，所述第一MOS管的栅极和所述第五MOS管的栅极在芯片生成过程中受天线效应随机地击穿。
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