[发明专利]鳍式快恢复超结功率半导体晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201610363983.4 | 申请日： | 2016-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN106024910B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;童鑫;杨卓;宋慧滨;祝靖;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/329 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种鳍式快恢复超结功率半导体晶体管及其制备方法，包括N型衬底，在N型衬底上设有N型外延层，在N型外延层的内设有柱状第二P型体区，在N型外延层的顶部设有第一P型体区且区位于两柱状第二P型体区之间，其表面设有N型重掺杂源区和P型重掺杂半导体接触区，在N型重掺杂源区、P型重掺杂半导体接触区和第二P型体区上连接有源极金属，在第一P型体区的两侧分别设有多晶硅栅，柱状第二P型体区止于多晶硅栅的下表面，且柱状第二P型体区低于第一P型体区，在多晶硅栅与第一P型体区、N型外延层及第二P型体区之间设有栅氧化层，在多晶硅栅与源极金属之间设有绝缘层，并且，栅氧化层使第一P型体区与第二P型体区相互分离。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍式快 恢复 功率 半导体 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式快恢复超结功率半导体晶体管，包括：N型衬底(1)，在N型衬底(1)上设有N型外延层(2)，在N型外延层(2)的内设有柱状第二P型体区(3)，在N型外延层(2)的顶部设有第一P型体区(4)且所述第一P型体区(4)位于两柱状第二P型体区(3)之间，在第一P型体区(4)的表面设有N型重掺杂源区(5)和P型重掺杂半导体接触区(6)，在N型重掺杂源区(5)、P型重掺杂半导体接触区(6)和第二P型体区(3)上连接有源极金属(10)，其特征在于，在第一P型体区(4)的两侧分别设有多晶硅栅(8)，所述柱状第二P型体区(3)止于多晶硅栅(8)的下表面，且所述柱状第二P型体区(3)低于第一P型体区(4)，在多晶硅栅(8)与第一P型体区(4)、N型外延层(2)及第二P型体区(3)之间设有栅氧化层(7)，在多晶硅栅(8)与源极金属(10)之间设有绝缘层(9)，并且，所述栅氧化层(7)使第一P型体区(4)与第二P型体区(3)相互分离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610363983.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
