[发明专利]单晶硅生长过程中粘壁硅的去除方法在审
| 申请号： | 201610364026.3 | 申请日： | 2016-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN105951175A | 公开（公告）日： | 2016-09-21 |
| 发明（设计）人： | 张俊宝;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 | 申请（专利权）人： | 上海超硅半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/16 | 分类号： | C30B15/16;C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201604 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种直拉法硅单晶生长工艺中石英坩埚内壁的多晶硅的去除方法，为去除多晶硅熔化过程中粘结在石英坩埚内壁的多晶硅，采用激光束垂直照射多晶硅粘结块与石英坩埚内壁的结合点，熔化结合点处的多晶硅，使多晶硅粘结块整体熔化或部分熔化，未熔化的多晶硅块落入熔融液；为去除单晶硅生长过程中石英坩埚内壁上凝固的多晶硅，采用多台激光束平行照射凝固多晶硅与石英坩埚内壁的结合线，熔化多晶硅凝固块或将凝固薄片切割掉，进入熔融液熔化，从而消除凝固块。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 生长 过程 中粘壁硅 去除 方法 | ||
【主权项】：
一种直拉法单晶硅制备工艺中石英坩埚内壁的多晶硅的去除方法，其特征在于：为去除多晶硅熔化过程中粘结在石英坩埚内壁的多晶硅，采用激光束垂直照射多晶硅粘结块与石英坩埚内壁的结合点，熔化结合点处的多晶硅，使多晶硅粘结块整体熔化或部分熔化，未熔化的多晶硅块落入熔融液；为去除单晶硅生长过程中石英坩埚内壁上凝固的多晶硅，采用多台激光束平行照射凝固多晶硅与石英坩埚内壁的结合线，熔化多晶硅凝固块或将凝固薄片切割掉，进入熔融液熔化。
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