[发明专利]轴向电阻率均匀的硅单晶生长技术在审
| 申请号： | 201610364028.2 | 申请日： | 2016-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN105887193A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 张俊宝;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 | 申请（专利权）人： | 上海超硅半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/04;C30B15/16;C30B15/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201604 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供轴向均匀的硅单晶生长方法，通过在硅单晶生长过程中，在熔体中持续定量地加入多晶硅原料，降低掺杂元素因固液分凝系数而导致的熔体中掺杂元素的增加。通过超细粉末的形式加入多晶硅，将多晶硅在加入前加热，并采用激光技术加热熔体上多晶硅加入形成的加入环带。调节石英坩埚与单晶硅的直径比例，调节坩埚旋转和单晶硅的转速，防止多晶硅粉在未熔化前进入结晶凝固区域。本发明方法生长的硅单晶从头部到尾部，掺杂元素均匀性高，晶体全部可用。晶体生长后，石英坩埚中的剩余熔体可直接再加入硅原料，石英坩埚的利用率高，能耗低，综合成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 轴向 电阻率 均匀 硅单晶 生长 技术 | ||
【主权项】：
一种轴向电阻率均匀的硅单晶生长方法，在硅单晶等径生长过程中，在熔体中持续定量地加入多晶硅原料，降低掺杂元素因固液分凝系数而导致的熔体中掺杂元素的增加，使熔体中的掺杂元素浓度保持在设计浓度，从而保持硅单晶中的掺杂元素浓度保持在设计值，其特征在于：多晶硅以超细粉末的形式加入，在加入前将多晶硅加热至1200℃以上，采用激光技术加热熔体上多晶硅加入形成的环带，调节石英坩埚与单晶硅的直径比例、坩埚转速和单晶硅的转速，防止多晶硅粉在未熔化前进入结晶凝固区域。
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