[发明专利]硅单晶提拉设备与生长方法有效
| 申请号： | 201610364029.7 | 申请日： | 2016-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN105887186B | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 李秦霖;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 | 申请（专利权）人： | 上海超硅半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/14 | 分类号： | C30B15/14;C30B29/06;C30B15/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201604 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅单晶提拉设备，在坩埚托盘支架下方设置辅助热屏，在辅助热屏内部设置底部加热器，底部加热器由水冷电极支撑和冷却，底部加热器由石墨材料制备而成，辅助热屏为倒U形结构，辅助热屏的上部水平部分只包含单层石墨，辅助热屏的两边竖直部分包含双层石墨，其是在内层单层石墨的基础上增加了一层外层石墨，且外层石墨材料的热导率不小于0.1W/m/k且不大于20W/m/K，而内层石墨材料的热导率不小于75W/m/K且不大于200W/m/K。本发明还提供一种采用该硅单晶提拉设备进行硅单晶生长的方法。通过本发明，可大幅度缩短多晶硅原料的熔化时间、提高硅单晶提拉生长速率，缩短硅单晶生长周期，节约成本，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 硅单晶提拉 设备 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种硅单晶提拉设备，包括一个设置在坩埚托盘支架的下方，并围绕在坩埚支撑轴周围的辅助热屏；一个设置在所述的辅助热屏内部的底部加热器，所述底部加热器由水冷电极支撑和冷却，所述底部加热器由石墨材料制备而成，且所述石墨材料的热导率不小于75W/m/K且不大于200W/m/K，其特征在于所述辅助热屏为倒U形结构，所述辅助热屏的上部水平部分只包含单层石墨，所述辅助热屏的两边竖直部分包含双层石墨，其是在内层单层石墨的基础上增加了一层外层石墨，且外层石墨材料的热导率不小于0.1W/m/k且不大于20W/m/K，而内层石墨材料的热导率不小于75W/m/K且不大于200W/m/K。
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