[发明专利]制作全波段对比晶粒的方法及校正芯片测试机的方法有效

专利信息
申请号: 201610364520.X 申请日: 2016-05-28
公开(公告)号: CN106093819B 公开(公告)日: 2020-04-28
发明(设计)人: 郭组福 申请(专利权)人: 湘能华磊光电股份有限公司
主分类号: G01R35/00 分类号: G01R35/00
代理公司: 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 代理人: 郑隽;周晓艳
地址: 423038 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明提供一种制作全波段对比晶粒的方法,包括以下步骤:步骤A、确定波段数量和全波段对比晶粒的份数;步骤B、选取包含全波段的多个方片产品;步骤C、将第一个波段和最后一个波段的方片产品通过包括外围晶粒的方法进行分档,将第二个波段至倒数第二个波段的方片产品通过不包括外围晶粒的方法进行分档;步骤D、转换为分选机识别的档;步骤E、采用分选机从多个方片产品上选取同一bin的晶粒放入新的方片上得到多份具有全波段晶粒的方片产品。本发明方法工艺精简,能快速、准确获得多份全波段对比晶粒。本发明还提供一种采用上述全波段对比晶粒进行校正芯片测试机的方法,步骤精简,能够确保校正后的芯片测试机具有一致性对比效率。
搜索关键词: 制作 波段 对比 晶粒 方法 校正 芯片 测试
【主权项】:
一种制作全波段对比晶粒的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤A、确定全波段对比晶粒包括N个波段,需要制作M份全波段对比晶粒,其中:N为5‑18,M为2‑20;步骤B、选取与波段数量相同的N个方片产品,一个方片产品包括一个波段的晶粒,且第一个波段的方片产品至第N个波段的方片中的晶粒的波段依次由低到高排列,其中:第一个波段的方片产品和第N个波段的方片产品均至少包括600颗晶粒,第二个波段的方片产品至第N‑1个波段的方片产品均至少包括200颗晶粒;步骤C、将第一个波段的方片产品和第N个波段的方片产品通过包括外围晶粒的方法进行分档,将第二个波段的方片产品至第N‑1个波段的方片产品通过不包括外围晶粒的方法进行分档;所述包括外围晶粒的方法具体是:将全部晶粒以P的三倍的数量为单位依次分为bin1至binM;所述不包括外围晶粒的方法具体是:将全部晶粒以P的数量为单位依次分为bin1至binM;其中:P为每行所排列的晶粒的数量,取值为10‑30颗;步骤D、将第一个波段的方片产品或第N个波段的方片产品以及第二个波段的方片产品至第N‑1个波段的方片产品中的任意一个转换为分选机识别的档;步骤E、采用分选机从N个方片产品上选取同一bin的晶粒放入新的方片上得到M份具有全波段晶粒的方片产品。
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