[发明专利]闪存阵列的编程操作方法有效
| 申请号： | 201610364752.5 | 申请日： | 2016-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN106057239B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张振军;吴敏<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种闪存阵列的编程操作方法，闪存阵列至少包括第一和第二分栅闪存单元，第一和第二分栅闪存单元分别具有源极、漏极、第一控制栅、字线栅和第二控制栅；第一分栅闪存单元的源极连接第一位线，其漏极连接第二位线；第二分栅闪存单元的源极连接第二位线，其漏极连接第一位线，或者，第二分栅闪存单元的源极连接第一位线，其漏极连接第二位线；编程操作方法包括：在对第一分栅闪存单元进行编程操作时，施加第一负电压至第二分栅闪存单元的第一控制栅线，并施加第二负电压至第二分栅闪存单元的第二控制栅线；第一负电压和第二负电压的配置用于限制第二分栅闪存单元的编程。本发明方案可以减少闪存阵列在编程操作时的编程串扰，并较易实施。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 阵列 编程 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种闪存阵列的编程操作方法，所述闪存阵列至少包括第一分栅闪存单元和第二分栅闪存单元，所述第一分栅闪存单元和第二分栅闪存单元分别具有源极、漏极、第一控制栅、字线栅和第二控制栅；/n所述第一分栅闪存单元的源极连接第一位线，所述第一分栅闪存单元的漏极连接第二位线；/n所述第二分栅闪存单元的源极连接所述第二位线，所述第二分栅闪存单元的漏极连接所述第一位线，或者，所述第二分栅闪存单元的源极连接所述第一位线，所述第二分栅闪存单元的漏极连接所述第二位线；/n所述第一分栅闪存单元和第二分栅闪存单元的第一控制栅分别连接各自的第一控制栅线，所述第一分栅闪存单元和第二分栅闪存单元的第二控制栅分别连接各自的第二控制栅线，所述第一分栅闪存单元和第二分栅闪存单元的字线栅分别连接各自的字线；/n其特征在于，所述闪存阵列的编程操作方法包括：/n在对所述第一分栅闪存单元进行编程操作时，施加第一负电压至所述第二分栅闪存单元的第一控制栅线，并施加第二负电压至所述第二分栅闪存单元的第二控制栅线；/n所述第一负电压和所述第二负电压的配置用于限制所述第二分栅闪存单元的编程；/n施加第三电压至所述第二分栅闪存单元的字线，所述第一负电压低于所述第三电压，所述第二负电压低于所述第三电压，所述第三电压的电压为正电压。/n
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