[发明专利]N型单晶硅晶锭及其制造方法在审
| 申请号： | 201610364925.3 | 申请日： | 2016-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN105951173A | 公开（公告）日： | 2016-09-21 |
| 发明（设计）人： | 李秦霖;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 | 申请（专利权）人： | 上海超硅半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201604 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种N型单晶硅晶锭的制造方法，其特征在于在Cz法N型单晶硅硅锭提拉生长过程，通过缓慢且连续地向石英坩埚中添加相反导电类型的掺杂元素，提高晶锭中相反导电类型元素的浓度，抵消因分凝引起的熔体中主掺杂元素浓度的快速升高而使晶锭中增多的电子型载流子，从而解决在晶锭生长末期电阻率快速下降的问题。通过该发明，可以得到轴向电阻率波动小于30Ω•cm的N型单晶硅晶锭。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种N型单晶硅晶锭的制造方法，其特征在于，在N型单晶硅晶锭提拉生长过程中，将棒条状P型硅棒不断浸入硅熔体中，生长出轴向电阻率波动较小的N型单晶硅晶锭，P型硅棒浸入硅熔体的速度满足如下公式ν=1.7+k×m其中，ν为棒条状P型硅棒竖直向下浸入硅熔体的速度，单位mm/kg；k为修正系数，单位mm/kg2；m为所生长的N型晶锭的实时重量，单位kg；即，N型单晶硅晶锭每生长1kg，棒条状P型硅棒向熔体里浸入（1.7+k×m）mm。
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