[发明专利]GAA结构MOSFET的形成方法在审
| 申请号： | 201610365164.3 | 申请日： | 2016-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN107437556A | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 唐龙娟;王彦;韩秋华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 徐文欣,吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种GAA结构MOSFET的形成方法，包括提供半导体衬底；在半导体衬底中形成多组目标沟槽，各组目标沟槽沿半导体衬底表面法线方向向下延伸，多组目标沟槽的形成步骤包括在半导体衬底中形成一组初始沟槽；对一组初始沟槽进行各向异性湿法刻蚀，使一组初始沟槽对应形成一组目标沟槽；形成一组目标沟槽后，沿着一组初始沟槽向下刻蚀半导体衬底，形成下一组初始沟槽；重复形成初始沟槽和各向异性湿法刻蚀的步骤直至形成多组目标沟槽，目标沟槽两侧具有目标沟槽凸起；然后刻穿每一组目标沟槽中相邻目标沟槽凸起之间的半导体衬底，形成纳米线。所述方法使得GAA结构MOSFET的电学性能差异降低。 | ||
| 搜索关键词： | gaa 结构 mosfet 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种GAA结构MOSFET的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底中形成多组目标沟槽，各组目标沟槽沿半导体衬底表面法线方向向下延伸，多组目标沟槽的形成步骤包括：在半导体衬底中形成一组初始沟槽；对所述一组初始沟槽进行各向异性湿法刻蚀，使所述一组初始沟槽对应形成一组目标沟槽；形成一组目标沟槽后，沿着所述一组初始沟槽向下刻蚀半导体衬底，形成下一组初始沟槽；重复形成初始沟槽和各向异性湿法刻蚀的步骤直至形成多组目标沟槽，所述目标沟槽的两侧侧壁向半导体衬底内凹陷，使目标沟槽两侧具有目标沟槽凸起；形成多组目标沟槽后，刻穿每一组目标沟槽中相邻目标沟槽凸起之间的半导体衬底，形成纳米线。
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