[发明专利]电激发光装置有效

专利信息
申请号: 201610365207.8 申请日: 2016-05-27
公开(公告)号: CN106211489B 公开(公告)日: 2019-01-01
发明(设计)人: 吴忠帜;陈建宇;李伟恺;林晃岩;陈奕均 申请(专利权)人: 吴忠帜
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52
代理公司: 深圳市智享知识产权代理有限公司 44361 代理人: 马静
地址: 中国台湾台北市和*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种电激发光装置,其包括一合成电极,其由表面具有奈米结构的第一层及位于奈米结构上的第二层所组成,其中第一层及第二层是透明导电的,且第一层及第二层的其一者的折射率小于或等于1.65,第一层及第二层的另一者的折射率大于或等于1.75;复数个功能层具有一发光层,位于第二层上;以及,一上电极,位于复数个功能层上。特别地是,奈米结构上每一个凹坑及凹坑间的间距都是小于或等于发光层所发出光的一主波长。本发明的电激发光装置及其应用具有改善其出光效率及外部量子效率的技术效果。
搜索关键词: 激发 装置
【主权项】:
1.一种电激发光装置,包括:一基板;一下电极,位于该基板上方,该下电极是一合成电极,其由一表面具有一奈米结构的第一层及位于该奈米结构上方的一第二层所组成,其中该第一层及该第二层是透明导电的,且该第一层及该第二层的其一者具有一低折射率小于或等于1.65,该第一层及该第二层的另一者具有一高折射率大于或等于1.75;复数个功能层具有一发光层,位于该第二层上方;以及,一上电极,位于该复数个功能层上方,其特征在于,该合成电极中的该第一层及该第二层的折射率差是大于或等于0.3,且该奈米结构具有复数个凹坑,且该奈米结构上每一个凹坑及该复数个凹坑间的间距都是小于或等于该发光层所发出光的一主波长,该复数个凹坑包括奈米网孔,且每一个奈米网孔的宽度及该奈米网孔间的间距都是小于或等于该发光层所发出光的该主波长,且该第二层通过该复数个凹坑穿插填入该第一层中,使得该合成电极是由该高折射率及该低折射率穿插形成。
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