[发明专利]一种高鲁棒性快恢复超结功率半导体晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201610365220.3 | 申请日： | 2016-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN105914233B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 祝靖;卞方娟;杨卓;黄智;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种高鲁棒性快恢复超结功率半导体晶体管及其制备方法。晶体管含N型漏极，N型漏极上设有N型外延层，再设第一、二条形P型体区、第一P型体区，在第一P型体区内设有至少2个沟槽栅、重掺杂N型源极及第二P型体区，在沟槽栅的上端设有第一场氧化层，重掺杂N型源极位于第一P型体区的上部且限制在沟槽栅之间，第二P型体区位于重掺杂N型源极的下方且通过第一接触金属与源极金属层连接。方法是在衬底生长N型外延层，蚀出深沟槽，制作第一、第二条形P型体区，再制作沟槽栅、第一P型体区、重掺杂N型源极，然后淀积铝形成源极金属层和第一接触金属，最后制作N型漏极。本发明能有效改善体二极管的反向恢复特性并能提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高鲁棒性快 恢复 功率 半导体 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高鲁棒性快恢复超结功率半导体晶体管，包括：N型漏极(1)，在N型漏极(1)上设有N型外延层(2)，在N型外延层(2)内分别设有第一条形P型体区(31)和第二条形P型体区(32)，在N型外延层(2)上方设有第一P型体区(5)且所述第一P型体区(5)自第一条形P型体区(31)延展至第二条形P型体区(32)，其特征在于，在第一P型体区(5)内设有至少2个沟槽栅、重掺杂N型源极(7)及第二P型体区(6)，所述沟槽栅纵向贯穿第一P型体区(5)且所述沟槽栅的下端伸入N型外延层(2)，在所述沟槽栅的上端设有第一场氧化层(8)，所述重掺杂N型源极(7)位于第一P型体区(5)的上部且被限制在所述沟槽栅之间，在重掺杂N型源极(7)、第一P型体区(5)、第一条形P型体区(31)及第二条形P型体区(32)上连接有源极金属层(9)，所述第二P型体区(6)位于所述重掺杂N型源极(7)的下方且通过第一接触金属(11)与源极金属层(9)连接。
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