[发明专利]一种新型的柔性阵列式压力传感器在审
申请号: | 201610365447.8 | 申请日: | 2016-05-27 |
公开(公告)号: | CN106092389A | 公开(公告)日: | 2016-11-09 |
发明(设计)人: | 蒋书文;孙秀耀;蒋洪川;赵晓辉;张万里 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G01L1/20 | 分类号: | G01L1/20 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 吴姗霖 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明提供了一种新型的柔性阵列式压力传感器,自上而下依次为上柔性薄膜层、上电极层、压敏单元阵列、下电极层、下柔性薄膜层,其特征在于,所述压敏单元阵列包括n个相同的压敏单元,每个压敏单元包括pn结和压敏薄膜,所述pn结由p型半导体薄膜和n型半导体薄膜组成。本发明柔性阵列式压力传感器的每个压敏单元为一个压敏薄膜与一个pn结整流二级管构成的串联结构,在对单个敏感点的电阻变化进行测量时,pn结整流二级管的单向导电特性使得传感器阵列上各敏感点之间不能形成电流回路,从而有效解决了阵列电阻间的交叉耦合问题;且传感器的体积小,重量轻,易于实现低成本大规模批量化生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 柔性 阵列 压力传感器 | ||
【主权项】:
一种新型的柔性阵列式压力传感器,自上而下依次为上柔性薄膜层(1)、上电极层(2)、压敏单元阵列、下电极层(7)、下柔性薄膜层(8),其特征在于,所述压敏单元阵列包括n个相同的压敏单元,每个压敏单元(3)包括pn结和压敏薄膜(4),所述pn结由p型半导体薄膜和n型半导体薄膜组成。
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