[发明专利]用于制造电子器件的化合物和电子器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种用于制造电子器件的化合物和电子器件及其制造方法。具体地，本发明涉及一种通式(I)的官能化合物，其中A是官能结构要素，B是溶解度促进结构要素，和k是在1至20范围内的整数，其中所述官能化合物的分子量至少为550g/摩尔，和所述溶解度促进结构要素B符合通式(L‑I)，其中Ar¹、Ar²各自彼此独立地是芳基或杂芳基基团，它们可被一个或多个任何希望类型的基团R取代。X在每种情况下彼此独立地是N或CR²，优选CH。l是0、1、2、3或4；其中虚线键表示与所述官能结构要素A结合的键。本发明还涉及通式(I)的优选化合物，并涉及包含这些化合物的电子器件。

主权项

1.通式(I)的官能化合物其中A’是官能结构要素，B是溶解度促进结构要素，和k是在1至20范围内的整数，其特征在于所述官能化合物的分子量至少为550g/摩尔且至多为5000g/摩尔，所述官能化合物选自通式(V‑Ia)、(V‑Ib)、(V‑Ic)和(V‑Id)的化合物：其中如下适用于使用的符号：DCy在每次出现时相同或不同地是包含至少一种配位原子的环状基团，所述环状基团经由所述配位原子键合到金属上，所述环状基团任选地被一个或多个取代基R10取代；基团DCy和CCy经由共价键彼此连接；CCy在每次出现时相同或不同地是包含碳原子的环状基团，所述环状基团经由所述碳原子键合到金属上，而且所述环状基团任选地被一个或多个取代基R10取代；A在每次出现时相同或不同地是单阴离子、二齿的螯合配体；R10在每次出现时相同或者不同地是H，D，F，Cl，Br，I，CHO，C(＝O)Ar3，P(＝O)(Ar3)2，S(＝O)Ar3，S(＝O)2Ar3，CR11＝CR11Ar3，CN，NO2，Si(R11)3，B(OR11)2，B(R11)2，B(N(R11)2)2，OSO2R11，具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或者硫代烷氧基基团，或具有2至40个C原子的直链烯基或炔基基团，或者具有3至40个C原子的支链或者环状的烷基、烯基、炔基、烷氧基或者硫代烷氧基基团，这些基团中的每个任选地被一个或多个基团R11取代，其中这些基团的一个或多个非相邻的CH2基团可被R11C＝CR11、C≡C、Si(R11)2、Ge(R11)2、Sn(R11)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR11、P(＝O)(R11)、SO、SO2、NR11、O、S或CONR11代替，和其中这些基团的一个或多个H原子可被F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，它们在每种情况下任选地被一个或多个基团R11取代，或具有5至60个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，它们可被一个或多个基团R11取代，或这些体系的组合；此处两个或更多个相邻的取代基R10也任选地彼此之间形成单或多环的脂族或芳族环系；Ar3在每次出现时相同或者不同地是具有5至40个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，它们可被一个或多个基团R11取代；R11在每次出现时相同或者不同地是H，D，CN，或具有1至20个C原子的脂族、芳族和/或杂芳族烃基团，其中另外，H原子可被F代替；此处两个或更多个相邻的取代基R11也任选地彼此形成单或多环的脂族或芳族环系，其中所述的基团DCy、CCy和/或A的至少一个包含至少一个通式(L‑II)的基团；和所述溶解度促进结构要素B符合通式(L‑II)其中R1、R2、R3、R4各自彼此独立地是氢，分别具有1或2至40个C原子的直链烷基、烯基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或具有3至40个C原子的支链或环状的烷基、烯基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或者是甲硅烷基基团，或具有1至40个C原子的取代的酮基团，具有2至40个C原子的烷氧基羰基基团，具有7至40个C原子的芳氧基羰基基团，甲酰基基团(‑C(＝O)‑H)，CF3基团，Cl，Br，F，或具有5至60个环原子的取代或未取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至60个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，或这些体系的组合，其中基团R1、R2、R3和/或R4中的一个或多个任选地彼此之间和/或与基团R1键合到其上的环形成单或多环的脂族或芳族环系；和l是0、1、2、3或4，m是0、1、2或3，和n、o各自彼此独立地是0、1、2、3、4或5；其中虚线键表示与所述官能结构要素结合的键。