[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种能够抑制在与护圈连接的接触孔的附近产生局部较高的电场的半导体装置。半导体基板具有元件区和外周区。在外周区形成有以包围元件区的方式呈环状而延伸的多个护圈、和使各个护圈互相分离的漂移区。第一外周绝缘膜、第一外周导电膜、第二外周绝缘膜及第二外周导电膜被层压在外周区上。各个第一外周导电膜呈环状而延伸。各个第二外周导电膜与第一外周导电膜的一部分重叠。第二外周导电膜通过第一接触孔而与第一外周导电膜连接。第二外周导电膜通过第二接触孔而与护圈连接。至少一个第二接触孔的中心位于与护圈的宽度方向的中心线相比靠内周侧之处。

主权项

一种半导体装置，具有：半导体基板；表面电极，其与所述半导体基板的表面相接；背面电极，其与所述半导体基板的背面相接；第一外周绝缘膜；多个第一外周导电膜；第二外周绝缘膜；多个第二外周导电膜，所述半导体基板具有在沿着所述半导体基板的厚度方向进行俯视观察时重叠于所述表面电极与所述半导体基板间的接触面的元件区、和所述元件区周围的外周区，在所述元件区形成有能够在所述表面电极与所述背面电极之间进行通电的半导体元件，在所述外周区形成有：p型的多个护圈，其露出于所述表面，且以包围所述元件区的方式呈环状而延伸；n型的漂移区，其使各个所述护圈互相分离，所述第一外周绝缘膜被形成于所述外周区内的所述表面，各个所述第一外周导电膜被形成于所述第一外周绝缘膜上，且在沿着所述厚度方向进行俯视观察时以与对应的所述护圈重叠的方式呈环状而延伸，所述第二外周绝缘膜被形成于各个第一外周导电膜上，各个所述第二外周导电膜被形成于所述第二外周绝缘膜上，且在沿着所述厚度方向进行俯视观察时以与对应的所述第一外周导电膜的一部分重叠的方式配置，并且具有与各个所述第一外周导电膜的厚度相比而较厚的厚度，各个所述第二外周导电膜通过第一接触孔而与对应的所述第一外周导电膜连接，各个所述第二外周导电膜通过第二接触孔而与对应的所述护圈连接，至少一个所述第二接触孔的中心位于，与和该第二接触孔连接的所述护圈的宽度方向的中心线相比靠内周侧之处。